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論文

エキシマレーザー照射によるh-BNからのアブレーションプラズマの特性

大場弘則; 佐伯盛久; 江坂文孝; 山田洋一; 山本博之; 横山淳

Journal of the Vacuum Society of Japan, 52(6), p.369 - 371, 2009/07

https://doi.org/10.3131/jvsj2.52.369

h-BNを真空中にてレーザーアブレーションさせた時の放出プラズマの挙動を調べた。四重極型質量分析計とイオンプローブを用いて放出種の時間分解検出を行った。プラズマの電離度はレーザーパワー密度の増大に伴って15%程度まで高くなること、イオンは中性粒子よりも高い運動エネルギーで上昇することが観測され、また空間分布ではイオンの方が中性粒子よりも上方に収束されたビームを形成することがわかった。このように、アブレーション放出プラズマ中のイオンと中性粒子の挙動が大きく異なることから、この結果はイオンと中性粒子とを区別してイオンのみを利用することにより、微粒子の付着のない良質の薄膜が作製できることを示している。

論文

同位体選択的赤外多光子解離されたフロロシランからの同位体濃縮Si薄膜の作製

大場弘則; 鈴木裕*; 江坂文孝; 田口富嗣; 山田洋一; 山本博之; 笹瀬雅人*; 横山淳

Journal of the Vacuum Society of Japan, 52(6), p.292 - 295, 2009/07

濃縮 $^{30}$ Siの中性子照射による $^{30}$ Si $^{31}$ Pの核変換を利用した半導体デバイスの創製研究及び同位体組成制御材の物性評価のために、Si $_{2}$ F $_{6}$ の赤外多光子解離反応により同位体濃縮したSiF $_{4}$ ガスからSi薄膜の作製実験を行った。成膜方法はプラズマCVDであり、反応ガスにはSiF $_{4}$ 及びH $_{2}$ を用い、Arで希釈,混合した後チャンバー内に導入した。基板に石英又はSi単結晶ウェーハを用いた。生成膜の評価はX線回折装置,SEM/EDX,二次イオン質量分析計で行った。まず、13.6MHz高周波加熱平行平板電極型CVD装置を用いた場合、H $_{2}$ /SiF $_{4}$ 流量比210とし、基板温度を室温500 $^{circ}$ Cにして成膜し、これらの条件下ではアモルファス薄膜であることがわかった。次に、2.45GHzマイクロ波加熱リモート型CVD装置を用いて、H $_{2}$ /SiF $_{4}$ 流量比を25、基板温度を350750 $^{circ}$ Cで成膜を試み、結晶性のSi薄膜を作製することができた。どちらの成膜装置においても、生成膜中にはFはほとんど含まれず、ほぼ原料ガスの濃縮度と同じ同位体組成であった。